セッション詳細
[9a-P05-1~3]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2025年9月9日(火) 9:30 〜 11:30
P05 (体育館)
[9a-P05-1]p型Si,Geにおける状態密度の歪効果
〇松田 和典1、山本 雅史2、国本 崇3、森 伸也1 (1.阪大院工、2.香川高専、3.徳文大理工)
[9a-P05-2]溶液処理を施したH/Si(111)の表面状態に関する再検証
-SPMの測定モードに依存した可視化メカニズムの観点から-
〇高橋 亜弓1、Fitriana Syafira Az Zahrah1、百濃 尚子1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[9a-P05-3]柱状ナノパターン乾燥におけるパターン閉塞発生条件の解析
ガナシェフ イヴァン1、〇山本 悠人1、中野 晴香1 (1.芝浦メカトロニクス（株）)