講演情報
[9a-P07-7](001)面ダイヤモンド基板上{111}面逆ピラミッド型ホールに生成した高配向窒素空孔中心の特性比較
〇(M2)伊牟田 航基1,2,4、及川 耀平1,2、鈴木 琉生1,2、林 寛3、徳田 規夫3、渡邊 幸志4、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.金沢大ナノマリ、4.産総研)
キーワード：
NVセンター、CVD成長、高配向
ダイヤモンド中のNVセンターは、室温大気圧下での高感度磁場センサとして応用できる。我々のグループでは、Ni異方性エッチングにより形成した{111}面逆ピラミッド型ホール構造を有する(001)基板上に窒素ドープCVD成長を施すことで、高配向かつ配向方向が選択可能なNVサンプルの作製に成功した。本研究では、同手法において結晶欠陥層の影響を低減する加工手法を複数採用し、NVセンターの特性改善を図った。