[9a-S203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[9a-S203-1] [第58回講演奨励賞受賞記念講演] 選択的H₂導入を用いた分子線エピタキシーによる結晶品質改善とGeSn/GeSiSn 共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

〇鳥本 昇汰¹、石本 修斗¹、加藤 芳規¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2、柴山 茂久¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

共鳴トンネルダイオード、GeSn、GeSiSn