[9a-S203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-S203-3] アモルファス・多結晶InGaOx によるナノシート酸化物半導体トランジスタ

〇(DC)坂井 洸太¹、Hwang Sunbin²、Chen Anlan¹、Park Ki-woong¹、Huang Xingyu¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、髙橋 崇典³、上沼 睦典²、浦岡 行治³、小林 正治¹ (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)

キーワード：

酸化物半導体、InGaOx、多結晶

本研究では、次世代DRAMや三次元集積に重要な酸化物半導体における移動度と正の閾値電圧の両立という課題をGa添加InOx薄膜の結晶化により解決を目指した。系統的にデバイス特性、信頼性、温度依存性を評価した。また、高移動度の多結晶OSではグレイン内でのキャリア散乱による輸送特性となる可能性を示唆した。