講演情報
[9a-S203-4]選択的結晶化による多結晶InGaOx を用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET
〇(DC)坂井 洸太1、Chen Anlan1、Park Ki-woong1、Huang Xingyu1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、Hwang Sunbin2、髙橋 崇典3、上沼 睦典2、浦岡 行治3、小林 正治1 (1.東大生産研、2.産業技術総合研究所、3.奈良先端科学技術大学院大学)
キーワード：
酸化物半導体、チャネルリリース、選択的結晶化
酸化物半導体FETの微細化に向けて、選択的結晶化技術によりゲートオールアラウンド（GAA）ナノシート構造を実現した。ALDにて連続成膜可能な、InZnOxを犠牲層、InGaOxをチャネル層とした積層構造において、400℃アニールによりチャネル層のみを選択的に結晶化し、高いエッチング選択比が得られた。GAA InGaOx FETでは高いオン電流、正の閾値電圧、優れたPBS信頼性を示した。