講演情報
[9a-S203-8]形状シミュレーターを用いた GAAFET プロセスフローの最適化
〇田中 陽子1、間部 謙三1、八木下 淳史1、深沢 正永1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
キーワード：
半導体、GAAFET、形状シミュレーター
ゲートオールアラウンド型 MOSFET (GAAFET) は形状が複雑である上にその形状を形成する膜が多種多様であることから、プロセス中で様々なトレードオフが存在する。本発表では、形状シミュレーターを用いて中でも重要なトレードオフである Dummy Gate 保護と Fin 側壁スペーサーの高さ低減をターゲットに条件の最適化を試みた。発表では、形状シミュレーターで最適化したプロセス条件を実ロットに適用した結果も併せて議論する予定である。