講演情報
[9p-N105-1]減圧ホットウォールMOVPE成長したSiドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の結晶性・電気的特性のSi濃度依存性
〇伊庭 義騎1、吉永 純也1,2、窪田 翔海1、寺内 悠真1、尾沼 猛儀3、東脇 正高4,5、伴 雄三郎6、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.工学院大学、4.大阪公立大院工、5.情通機構、6.大陽日酸ATI株式会社)
キーワード：
酸化ガリウム、MOVPE、n型ドーピング
β-Ga2O3デバイス実用化にはn型ドリフト層のキャリア密度制御が必須で、最近我々は減圧ホットウォール有機金属気相成長(MOVPE)法を用い、Siが2.1 × 1015 ~ 1.5 × 1019 cm-3ドープされたn型β-Ga2O3ホモエピタキシャル層の高速成長を報告した。今回、成長層の結晶性及び電気的特性のSi濃度依存性を検討したので報告する