[9p-N105-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-N105-12] ミストCVD法を用いたε-GaFeO₃基板上に成膜するκ-Ga₂O₃薄膜の結晶成長メカニズム

〇(M2)杉元 実鈴¹、加納 大成¹、上田 修²、西中 浩之¹ (1.京工繊大、2.明治大学)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD