講演情報
[9p-N105-16]ミストCVD法による選択成長を用いたα-Ga2O3光導波路の検討
〇(M1)豊島 慶大1、神野 莉衣奈1、Pholsen Natthajuks2、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生研)
キーワード：
酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体、選択成長
α-Ga2O3は広い波長帯域で透明で、屈折率の小さいsapphire基板上にエピタキシャルに成長可能であることからフォトニックプラットフォームとして活用できる可能性がある。我々のグループではドライエッチングで作製した光導波路の光伝搬を実証しているが、プロセス由来の側壁のラフネスが課題となっている。本研究では、選択成長によるファセット面の形成を利用した高品質な導波路側壁の形成の可能性を検討した。