講演情報
[9p-N202-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] III-V族半導体薄膜導波路を用いたMOSCAP型マイクロリング光変調器
〇作本 宙彌1、ピヤパッタラクン ティパット1、トープラサートポン カシディット1、高木 信一1、竹中 充1 (1.東大院工)
キーワード：
III-V薄膜導波路、光位相変調器、光集積回路
我々はIII-V族半導体薄膜導波路上に金属電極を配置したMOSCAP型光位相シフタの研究を進めてきた。III-V族半導体内の大きな電子誘起屈折率変化と小さい自由キャリア吸収により、厚いゲート絶縁膜を用いてもSi空乏型位相シフタと同程度の位相シフトを低光損失で得られる。また寄生容量が小さいため高速動作も期待できる。これまでに0.89 V×cmの位相変調効率と32Gbpsでの良好なアイ開口を確認した