[9p-N202-1~17] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N202-5] 狭金属電極ギャップを有するInGaAs MSM型受光器のSi導波路への集積

〇小松 健太郎¹、赤澤 智熈¹、モンフレ ステファン²、ブフ フレデリック²、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.STマイクロエレクトロニクス)

キーワード：

シリコンフォトニクス、受光器

本研究では、300 nmの狭電極ギャップを有するInGaAsMSM受光器をSi導波上に集積し、印加電圧1 Vにおいて、1.03 A/Wの高感度動作および21 GHzの帯域幅を実証した。また、25 Gbit/sでの明瞭なアイ開口も確認され、高速・高感度なSiフォトニクス向けの受光器として有望であることを示した。