講演情報
[9p-N202-7]窒化シリコン導波路型マッハ・ツェンダー干渉計を用いた不揮発な位相シフトの実証
〇前神 有里子1、コン グアンウェイ1、高 磊1、山本 宗継1、成島 利弘1、土澤 泰1、河島 整1、山田 浩治1 (1.産総研)
キーワード：
窒化シリコン、不揮発位相シフト
CMOSプロセスと高い互換性を持つPECVD-SiN導波路を用いて非対称マッハ・ツェンダー干渉計を製作し、UV照射とマイクロヒーターによる導波路の局所加熱により、SiNに存在するダングリングボンドの荷電状態変化に伴う屈折率変化を利用して、通信波長帯における不揮発な位相シフトを実証する。