[9p-N206-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[9p-N206-1] van der Waals物質hBN上に成長したTi₂O₃薄膜の金属絶縁体転移

〇(M1)菅野 圭太朗¹、相馬 拓人¹、深町 悟²、吾郷 浩樹²、大友 明¹、吉松 公平¹ (1.科学大物質理工、2.九州大)

キーワード：

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、hBN

バルク体のTi₂O₃は450 Kで金属絶縁体転移（MIT）を示すが、薄膜化すると転移温度が低下し抵抗率変化が小さくなる。我々はこの低下を基板との界面歪みに由来すると考え、van der Waals物質である六方晶窒化ホウ素（hBN）上にTi₂O₃薄膜を作製した。α-Al₂O₃基板上のTi₂O₃薄膜と比較してhBN上のTi₂O₃薄膜のほうがc軸長が小さくMIT温度、抵抗率変化がともに大きくなった。