講演情報
[9p-N206-4]アモルファスGaOxメモリスタにおける抵抗変化挙動の半導体物理モデルによる解析
〇(M2)小倉 璃音1、Diao Zhuo1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
キーワード：
メモリスタ、有限要素法シミュレーション、酸化ガリウム
アモルファスGaOx(a-GaOx)を用いたメモリスタは、素子内の酸素空孔分布変化に基づく多値的な抵抗状態が実現可能である。本研究において、従来の酸素空孔挙動シミュレーションモデルでは簡易化され、考慮されていなかった半導体物性を適切に取り入れたa-GaOxメモリスタの物理シミュレーションモデルを新たに構築した。これにより、酸素空孔の空間分布と電気特性の相関を定量的に評価し、抵抗変化現象のより高精度な解析を目指した。