講演情報
[9p-N206-6]SrTiO3 自立膜チャネルFET の作製と動作実証
〇(M2)田中 嵩祐1,2、井上 悠2、鬼頭 愛2、田村 雅史1、井上 公1,2 (1.東理大創域理工、2.産総研)
キーワード：
自立膜、パルスレーザー堆積法、複合酸化物
複合酸化物半導体SrTiO3 は、次世代エレクトロニクスのキーマテリアルとして注目されているが、高温成膜が必要であり、CMOS プラットフォームとの直接融合は困難である。今回、SrTiO3自立膜作製技術を改良することで、Si / SiO2 基板上に自立膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタを作製し、動作させることに初めて成功した。酸化物エレクトロニクスとCMOSの融合に向けた重要な一歩になる。