講演情報
[9p-N206-7](La1-xSrx)VO3/p-Si接合における空乏層容量の電圧依存性の評価
〇藤谷 海斗1、岩崎 光志1、橋本 收平1、高木 亮佑1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
遷移金属酸化物、強相関電子系、ヘテロ接合
強相関電子系(SCES)である遷移金属酸化物は、d軌道由来の強相関電子により電荷、スピン、軌道の自由度が複雑に相互作用する材料であり、これをSiデバイスと融合することで、SCESの電子機能を活用する新機能デバイスの実現が期待できる。しかし、デバイスの実現に重要な接合界面の電子輸送特性は殆ど調査されていなかった。そこで、SCESである(La1-xSrx)VO3をp-Si基板に直接接合し、空乏層容量-電圧測定によって接合界面の電子輸送特性を調査した。