講演情報
[9p-N206-8](La1-xSrx)VO3/n-Si接合の作製と電流-電圧特性の評価
〇(M1)岩崎 光志1、高木 亮佑1、橋本 收平1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
遷移金属酸化物、強相関電子系、シリコン
豊かな電子物性を持つ強相関電子系材料とSi接合の界面研究の先駆けとて、LSVO(x)をn型SiにPLD法で成膜し接合、J-V特性を測定した。測定結果から先行研究と同様の整流特性を示し、Sr組成の増加により順方向の立ち上がり電圧が低下した。これはLSVOがモット絶縁体から金属へ遷移する性質によると考えられる。実験により、接合界面での電子輸送特性の解明に寄与する結果が得られた。