[9p-N301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30

[9p-N301-10] 光ヘテロダイン光熱変位法を用いたGaNの非発光再結合過程の評価

〇細越 裕太¹、本田 善央²、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.名古屋大工)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、物性評価、GaN