[9p-N302-1~6] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

14:30 〜 14:45

[9p-N302-5] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/ルネッサンス第二世代 (27) VNs

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶、窒素、赤外吸収

シリコン中の空孔と置換型不純物ペアの研究史は長い。窒素の空洞抑制効果に対する空孔窒素複合体の理論研究によりVNN, VVNNが予言された。我々は電子線照射により空孔を導入しVNN、400℃の後熱処理によりVVNNの赤外吸収を見出した。太陽電池グレード次いでパワーデバイス用FZ結晶で400-700℃熱処理によるライフタイム減少が報告された。我々はVVNNに隠れていたVNsを見出し原因を解明した。