講演情報
[9p-N303-8]4H-SiC中単一シリコン空孔の電気的スピン検出と光電流生成経路の決定
〇西川 哲理1、森岡 直也1,2、阿部 浩之3、村田 浩一4、岡島 和希1、大島 武3,5、土田 秀一4、水落 憲和1,2,6 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.電中研、5.東北大、6.QUP KEK)
キーワード：
炭化ケイ素、単一スピン、光電流検出磁気共鳴
電気的読み出し可能な半導体中量子ビットは電子・量子複合集積素子応用が期待されており、4H-SiC中シリコン空孔スピンはその候補の一つである。シリコン空孔の光電流検出磁気共鳴(PDMR)法により実現するが、単一スピンの検出は未実証であった。我々は、PDMRによる単一シリコン空孔検出の実証し、また不明であったシリコン空孔の光電流生成経路を解明した。本発表ではこれらの詳細を報告する。