[9p-N307-1~15] 6.6 プローブ顕微鏡

13:45 〜 14:00

[9p-N307-2] 表面活性化接合法で作製されたn-GaN/n-GaN接合の断面上での 二重バイアス変調静電引力顕微鏡観測

〇水谷 航平¹、文 思翰¹、小林 大地¹、福澤 亮太¹、梁 剣波³、重川 直輝³、高橋 琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.大阪公大工)

キーワード：

静電引力顕微鏡、ケルビンプローブフォース顕微鏡、窒化ガリウム