講演情報
[9p-N321-1]酸素濃度を低減したOVPE-GaNの熱物性評価
〇浅生 晃聖1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、滝野 淳一2、隅 智亮2、岡山 芳央2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
キーワード：
OVPE法、窒化ガリウム、熱拡散率
本研究では、OVPE法により酸素濃度を従来よりも低減したGaN自立基板を作製し、その熱・電気物性について詳細に評価した。得られた結晶は酸素濃度の低いc面と酸素濃度の高い半極性面が混在する「混在成長」を示し、c面垂直方向とc面平行方向で熱拡散率に異方性を示した。また, 混在成長をとるOVPE-GaNの面直方向の熱拡散率はHVPE-GaNと同程度である一方、電気抵抗率は1.8×10⁻³ Ωcmと、HVPE-GaNの約1/3に低減された。