[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-N321-10] スパッタ法でn型GaN上にエピタキシャル成長させたScAlNの強誘電性

〇佐藤 早和紀¹、若本 裕介²、前田 拓也²、舟窪 浩³、上野 耕平⁴、藤岡 洋⁴、池田 和久¹、小林 篤¹ (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院、4.東大生研)

キーワード：

強誘電体材料、エピタキシャル成長、スパッタリング