講演情報
[9p-N321-10]スパッタ法でn型GaN上にエピタキシャル成長させたScAlNの強誘電性
〇佐藤 早和紀1、若本 裕介2、前田 拓也2、舟窪 浩3、上野 耕平4、藤岡 洋4、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院、4.東大生研)
キーワード：
強誘電体材料、エピタキシャル成長、スパッタリング
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