[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:00 〜 17:15

[9p-N321-13] 低Ⅴ/Ⅲ比条件下で作製したBGaNダイオードの諸特性評価

〇工藤 涼兵¹、小久保 瑛斗²、都木 克之³、若林 源一郎⁴、本田 善央⁵、天野 浩⁵、井上 翼^1,6、青木 徹^1,3、中野 貴之^1,3,6 (1.静大創造、2.名大院工、3.静大電研、4.近大原研、5.名大IMaSS、6.静大工)

キーワード：

BGaN、中性子検出器、半導体