講演情報
[9p-N321-2]Naフラックス法におけるGa2O3誘起ファセット成長を活用したGaN結晶の転位密度低減
〇今西 正幸1、奥村 加奈子1、垣之内 啓介1、植田 光寿1、川畑 健一1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、森 勇介1 (1.阪大院工)
キーワード：
窒化ガリウム、Naフラックス法、酸化ガリウム
本研究では，Naフラックス法によるGaN結晶成長において，ファセット成長を利用した転位密度低減に取り組んだ．酸化ガリウム（Ga2O3）粉末をGa-Na融液に添加することで，ファセット成長を誘発し，転位同士の反応や対消滅の促進を試みた．Ga2O3添加で得られたGaN結晶の成長モードや転位密度を評価したところ，0.6 mmol%のGa2O3添加によりファセット成長が誘発され，種結晶では1.6×106 cm-2台程度であった転位密度が1.5×105 cm-2程度まで減少することが明らかになった．