[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:15 〜 14:30

[9p-N321-4] ナノテンプレート選択成長法によるSi(111)基板上への 200 nm 以下の短周期窒化物ナノコラム成長

〇織間 裕悟¹、星野 航太¹、富樫 理恵¹、岸野 克巳¹ (1.上智大理工)

キーワード：

InGaN