2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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14:30 〜 14:45
奨励賞エントリー
[9p-N321-5]
スパッタ法によるSiドープGaN薄膜の成長
〇(M2)齋藤 明紀
1
、金武 凜樹
1
、小林 大希
1
、山田 直臣
1
(1.中部大院工)
キーワード：
GaN、Siドーピング、スパッタリング
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