[9p-N321-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:45 〜 16:00

[9p-N321-9] ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の電気特性へのScAlN成長温度の影響

〇奥田 朋也¹、前田 拓也²、河原 孝彦³、牧山 剛三³、中田 健³、池田 和久¹、小林 篤¹ (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.住友電工)

キーワード：

ScAlN、GaN