講演情報
[9p-N322-1]プラズマ窒化したSiC表面の体系的評価
〇三浦 大輝1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC、プラズマ窒化、欠陥
SiC/SiO2界面における界面準位低減のため、一般的なNO窒化のほかに、窒素などを用いるプラズマ処理も提案されている。しかし、これらの界面準位低減のメカニズムは依然として未解決であるため、本研究では、プラズマ窒化がSiC表面に及ぼす影響を調査した。窒素プラズマ処理によって、SiC表面に窒素原子が効果的に導入され、Si-N結合が形成されることが明らかになったが、この処理自体がさまざまな点欠陥の生成を引き起こすことも判明した。