講演情報
[9p-N322-11]連続ターンオフスイッチングの過電圧ストレスによるSiC-MOSFETの特性変動と回復挙動
〇(M2)中谷 拓夢1、Hassan M.S.2、西澤 伸一2、齋藤 渉2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
キーワード：
SiC-MOSFET、過電圧ストレス、リーク電流
SiC-MOSFETは高速スイッチング動作が可能であるが、寄生インダクタンスにより大きなサージ電圧が発生しやすい。これまでに繰り返しのUIS試験により、過電圧ストレスによるデバイス特性の変動が報告されているが、実際の回路で想定されるような軽微なストレスの影響や、その後の回復挙動に関する検討は十分に行われていない。本研究では、大きなサージ電圧を伴う連続スイッチング試験を行い、SiC-MOSFETのゲートおよびドレインリーク電流の変動とその回復挙動について報告する。