[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[9p-N322-17] SiC 基板の伝導型が SiO₂/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響

〇兼子 悠¹、中沼 貴澄¹、遠山 晴子²、田原 康佐²、朽木 克博²、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大工・院工、2.豊田中研)

キーワード：

炭化ケイ素、単一光子源、MOS界面