[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[9p-N322-18] 第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価

〇(D)岩本 蒼典¹、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiC、第一原理計算、不純物欠陥