[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:45 〜 19:00

[9p-N322-20] Z₁依存電子阻止断面積モデルとそのSi, C, 4H-SiC, Al, Ni及びAgへの適用

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹、堀切 文正¹ (1.法政大)

キーワード：

イオン注入、電子阻止断面積、Z1振動