講演情報
[9p-N322-3]キャリア散乱機構の理論解析に基づくSiC フィンFETにおける移動度向上の考察
〇利光 汐音1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
炭化ケイ素、キャリア散乱機構、フィンFET
SiC フィンFETにおける移動度向上に関する知見を獲得するため、様々なフィン幅のSiC nチャネルフィンFETにおけるキャリア散乱機構を理論的に解析した。その結果、SiC フィンFETの高移動度は、フィン幅減少に伴うクーロン散乱と表面ラフネス散乱の低減に起因していた。この散乱の低減は、左右のフィン側壁界面から伸びた空乏層が結合することで、ポテンシャルエネルギーが低下したためである。