[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-N322-4] 2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案

〇藤本 博貴¹、小林 拓真¹、神畠 真治¹、八軒 慶慈¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiC、MOS界面