[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[9p-N322-5] 2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善：SiC表面水素処理の効果

〇伊賀 智志¹、小林 拓真¹、藤本 博貴¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体、SiC MOS構造、界面準位