[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[9p-N322-6] 2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善：絶縁膜堆積後処理の効果

〇八軒 慶慈¹、小林 拓真¹、藤本 博貴¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiC、界面準位密度、堆積後熱処理