[9p-N322-1~20] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N322-7] 2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価

〇栫 隆人¹、小林 拓真¹、藤本 博貴¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体、SiC MOS構造、熱安定性