講演情報
[9p-N324-15]ナノシートチャネルトランジスタに向けた窒素ラジカル後処理によるゲートスタック界面構造変化の解明
〇矢野 瑞紀1、城戸 ほの佳1、雪屋 遼馬1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
キーワード：
ゲートスタック構造、窒素ラジカル、成膜後処理
ナノシート世代のMetal gate/high-kゲートスタックにおける元素プロファイル制御手法として，イオンを除去した，中性ラジカルのみによる成膜後処理の効果の解明に取り組んだ．TiN/HfO2/SiO2/Si構造に対する窒素ラジカル後処理によって，Si2p光電子スペクトルにおいてHfSiOピークの減少が確認された．一方，飽和容量の増大は認められないことから，TiN表面からの窒素ラジカル処理が，HfSiO/SiO2の積層構造の変化を誘起したことが示唆された．