講演情報
[9p-N324-16]定電流ストレスによるHigh-kゲート絶縁膜の劣化に対する窒素ラジカル後処理の効果
〇(M1)城戸 ほの佳1、矢野 瑞紀1、雪屋 遼馬1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
キーワード：
窒素ラジカル、リーク電流、絶縁破壊
ナノシートトランジスタの信頼性向上を目的に，金属形成後の窒素ラジカル後処理がゲートリーク電流および絶縁膜劣化に及ぼす効果とその機構を解明した．TiNゲート電極上からの窒素ラジカル照射により，MOSキャパシタ（TiN/HfSiO/SiO2/Si）の初期リーク電流のばらつき低減とともに，定電流ストレスによって絶縁破壊に至るまでの注入電荷量が増大した．ゲート絶縁膜の増大は認められないことから，膜中欠陥を効果的に終端できているものと考えられる．