講演情報
[9p-N401-6]IV族系二次元原子層含有Ca(Ge1-xSnx)2 結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長
〇寺田 吏1、吉崎 高士1、石部 貴史1,2、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI)
キーワード：
薄膜、ゲルマネン、層状物質
Ca層とGe層（ゲルマネン）が交互に積層した物質CaGe2が様々な分野で注目されている。ゲルマネンのバックリング構造制御により、様々な物性が制御可能と予測されているが、その制御方法は確立されていない。本研究では、バックリング構造制御を狙い、GeをSn元素で置換することに注目した。Si基板の上にCa(Ge1-xSnx) 2を結晶を創製し、バックリング構造制御を実現することを目的とした。