講演情報

15:15 〜 15:30

[9p-N401-8][分科内招待講演] 4H-SiC表面に対するNラジカル窒化過程の表面N密度飽和現象決定因子の実験的考察

〇吉田遥希¹、女屋崇¹、田村敦史¹、喜多浩之¹ (1.東大院新領域)

SiC、ラジカル、窒化

SiC MOSFETの特性向上には界面欠陥の抑制が重要であり、Nラジカルを用いた窒化の速度論的理解が求められる。本研究では、N密度の飽和挙動を解析し、N脱離反応と表面反応サイトの有限性が要因であることを考察した。