講演情報
[9p-N403-14]NEA-InGaNフォトカソードにおける電子ビーム動作時間の現状
〇小泉 淳1、佐藤 大樹1,2、西谷 智博1,2、本田 善央2、天野 浩2 (1.Photo electron Soul、2.名大未来研)
キーワード：
フォトカソード、電子銃、InGaN
半導体フォトカソードは「脆弱なNEA表面を使うので短寿命」というイメージをもたれている。そこで、我々が開発しているNEA-InGaNフォトカソードについて、現状の耐久性を調べた。耐久性として、フィードバック制御により放出電流を固定した動作時間と、窒素導入による加速劣化試験の影響について報告する。