セッション詳細
[9p-N403-1~16]7.2 電子ビーム応用
2025年9月9日(火) 13:30 〜 17:45
N403 (共通講義棟北)
[9p-N403-1]転写モールド法微小突起型陰極アレイによる誘電体バリア放電特性評価
〇(M2)磯谷 隆斗1、文 宗鉉1、根尾 陽一郎1 (1.静岡大電研)
[9p-N403-2]TiNコート層の成膜条件がフィールドエミッタアレイの電子放出特性に与える影響
〇村田 博雅1、大住 知暉1,2、後藤 康仁2、村上 勝久1、長尾 昌善1 (1.産総研、2.京大院工)
[9p-N403-3]TiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイの再加熱後の動作tip数の改善
〇川崎 祐輔1、村田 英一1、村田 博雅2、長尾 昌善2 (1.名城大理工、2.産総研)
[9p-N403-4]電界誘起酸素エッチングによるNb tipの先鋭化
〇堀川 愁斗1、志摩 惇紀1、岩田 達夫1、永井 滋一1 (1.三重大院工)
[9p-N403-5]ショットキーモードでのLaB6エミッタの電子放出測定
〇伊藤 昂陽1、村田 英一1、田中 崇之1、六田 英治1 (1.名城大理工)
[9p-N403-6]液体金属を用いた電界放射電子源のエネルギー分析
〇(M2)佐藤 宏樹1,2、根尾 陽一郎1,2、文 宗絃1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大電研)
[9p-N403-7]高温超伝導体からの電界電子放出特性に関する考察
三宅 広士1、田邉 詩祐1、阿保 智1、〇若家 冨士男1、岩渕 修一2、長尾 昌善3、村上 勝久3 (1.阪大基礎工、2.奈良女子大、3.産総研)
[9p-N403-8]Graphene/h-BN/Ni積層構造平面型電子放出デバイスの開発
〇村上 勝久1、六川 蓮1,2、鷹尾 祥典2、村田 博雅1、長尾 昌善1 (1.産総研、2.横国大)
[9p-N403-9]電界放出電子源の光源径測定の精度低下要因の検証
〇川本 絵里奈1、松永 宗一郎1,2 (1.日立製作所、2.日立ハイテク)
[9p-N403-10]熱酸化CeB6からの電界放出の安定性評価
〇鶴田 諒平1、荒井 元哉1、大場 宏祐1、山田 洋一1 (1.筑波大数理)
[9p-N403-11]有機分子による仕事関数制御を通じたフォトカソードの寿命延伸と量子効率改善
〇館農 真斗1、森山 美優1、大原 正裕4、森井 克行2,5,6、石井 久夫1,2,3、深川 弘彦1,2,3 (1.千葉大融合理工、2.千葉大先進、3.千葉大MCRC、4.信州大工、5.大阪大、6.日本触媒)
[9p-N403-12]フォトカソード形状の違いによる極短パルス電子線の伝播・特性の変化
〇(M1)長尾 梨代1、Privault Gaël1、嵐田 雄介1、岩崎 ゆい1、野山 豪大1、藤田 淳一1、Arbouet Arnaud1,2、羽田 真毅1 (1.筑波大数理、2.CNRS IRL Dynacom)
[9p-N403-13]金属メタ構造を利用するフォトカソードの開発
〇福本 恵紀1、ピアテンコ エリザベス1、豊澤 剛2、久保 敦2 (1.高エネ研、2.筑波大物理)
[9p-N403-14]NEA-InGaNフォトカソードにおける電子ビーム動作時間の現状
〇小泉 淳1、佐藤 大樹1,2、西谷 智博1,2、本田 善央2、天野 浩2 (1.Photo electron Soul、2.名大未来研)
[9p-N403-15]NEA-InGaNフォトカソード電子銃を用いた帯電抑制SEM撮像
〇安田 光伸1、西谷 智博2,3、小泉 淳2、荒川 裕太2、新美 浩太郎2、佐藤 大樹2,3、石川 純久1、大塚 祐二1 (1.東レリサーチセンター、2.Photo electron soul、3.名古屋大学)
[9p-N403-16]c面サファイア基板上 AlGaAs分子線エピタキシャル成長層の
結晶構造評価
〇和島 颯汰1,2、橋本 英李1,2、佐藤 大樹3、小泉 淳3、西谷 智博3、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.フォトエレクトロンソウル)