講演情報
[9p-N404-12]Buffer層を有するSTJ検出器のSiO2膜厚による影響評価
〇小口 貴穂1,2、野口 剛志1、藤井 剛2、田井野 徹1 (1.埼玉大院、2.産総研)
キーワード：
超伝導体、超伝導トンネル接合検出器
STJ検出器は高いエネルギー分解能を有する。しかし、基板で発生したフォノンノイズが、STJで直接吸収された低エネルギーX線によって生成される信号との比較を困難にしている。その解決策としてBuffer層の材料と構造の探索が行われ、結果、Ti/Au/Ti/SiO2構造が最もフォノンノイズ低減に効果があると判明した。本研究ではBuffer層中の絶縁層として成膜されているSiO2の膜厚に着目し、SiO2のフォノンノイズへの寄与に関する調査を目的とした。