[9p-P05-1~4] 3.12 半導体光デバイス

[9p-P05-1] InP/Si基板上レーザのボイドと閾値電流密度の関係

〇(M1)ホルト 瑞樹¹、黒井 瑞生¹、趙 亮¹、下村 和彦¹ (1.上智大理)

キーワード：

半導体、レーザ、シリコン

本研究では、InP薄膜をSi基板に直接貼付し、歪量子井戸レーザを成長させた構造において、貼付時に発生するボイドが光学特性に与える影響を検討した。ボイド密度および占有率をノマルスキー顕微鏡により評価し、閾値電流密度の測定と比較した。その結果、ボイドパラメータが低いほど閾値電流密度は低くなる傾向が見られた。これは高品質な貼付がデバイス性能向上に重要であることを示している。