講演情報
[9p-P08-15]Si 半導体検出器の構造的なガンマ線影響
〇(B)小林 奈和1、渡部 勝喜1、斉藤 直輝2、井戸川 槙之介1 (1.釧路工業高等専門学校、2.北海道大学)
キーワード：
Si 半導体検出器、ガンマ線、pn接合
本研究は，安全かつ低コストで扱える⁶⁰Co放射線源を用い，Si半導体検出器におけるpn接合構造のガンマ線影響を調査した．マスク製作と異方性エッチングにより接合面形状の異なる検出器を作製し，構造の違いが応答に及ぼす影響を評価した．実験には，電荷増幅回路を用いて信号を観測した．この結果から，安全かつ低コストで半導体デバイスが構造的に受ける放射線影響を観測可能であることを示した．