講演情報
[9p-P12-3](001) 面方位半絶縁性InP:Fe への応力によるバンド構造への影響
〇松尾 泰弘1、中村 直幹1、竹内 日出雄2 (1.三菱電機(株)、2.大阪公立大院工)
キーワード：
半導体、光変調反射分光法
化合物半導体素子は、そのプロセス中で何らの応力が加わっているが、この応力のバンド構造、引いてはデバイス特性への影響はあまり調べられていない。そこで、Fe ドープされた(001) 面方位半絶縁性InP 単結晶基板を薄板化し、加重により一軸方向に応力を印加した状態をつくり、光変調反射(Photoreflectance:PR) 分光法により評価を行った。結果、基板との格子不整合からなる応力によるEg の変化と同様な傾向が観測された。