講演情報
[9p-P12-8]InP量子ドットを用いた静電噴霧法による薄膜作製と評価
〇(M2)野口 遼太郎1、西口 昂志1、濱田 銀河1、徳原 忠大1、大谷 直毅1 (1.同志社大理工)
キーワード：
静電噴霧法、量子ドット
カドミウム（Cd）ベースの量子ドットは高い発光効率を有する一方で、毒性や環境負荷の観点から使用が制限されつつある。その代替材料として、低毒性で環境負荷の小さいInP量子ドットが有望視されている。本研究では、ZnSeとZnSのシェル層でコーティングされたInP量子ドットの作製を行い、InP薄膜を低コストで材料の無駄が少なくかつ均一な膜を形成可能な手法として静電噴霧（ESD）法を採用し、特性評価を行った。