講演情報
[14a-K103-8]バイポーラ型シリコン量子ドットにおける電荷ノイズ
〇太田 俊輔1、近藤 知宏1、松岡 竜太郎1、松田 達也1、柳 至2、峰 利之2、土屋 龍太2、久本 大2、水野 弘之2、溝口 来成1、米田 淳1,3、小寺 哲夫1 (1.東京科学大、2.日立研開、3.東大)
キーワード：
量子ドット、バイポーラ
量子コンピュータの実現に向けて、シリコン量子ドットを用いた系は既存の半導体技術との高い親和性から、有望な候補とされている。本研究では、n 型(電子)と p 型(正孔)の極性を同一チャネル上で切り替え可能なバイポーラ型シリコン量子ドットを用いて、電荷ノイズに注目し、その特性比較を行い、両極性におけるシリコン中の電荷ノイズについての理解を深め、量子ビットのノイズレベルの低減と操作精度向上に貢献する。